Samsung crea una memoria DRAM de 10 nanómetros para móviles que alcanza los 16 gigabits de velocidad

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Publicado: jueves, 26 julio 2018 17:37

   MADRID, 26 Jul. (Portaltic/EP) -

Samsung ha comenzado a producir una nueva memoria DRAM LPDDR4X de 10 nanómetros que alcanza los 16 gigabits de velocidad, lo que posibilita el desarrollo de terminales con 8 GB de RAM más eficientes y potentes con un menor tamaño que podrían llegar al mercado a finales de este año o principios de 2019.

   Samsung Electronics ha publicado una nota este jueves en la que anuncia la producción en masa de de su primera generación de DRAM LPDDR4X de 10 nanómetros y 8 gigabytes para teléfonos móviles que por primera vez en su tipo llega a los 16 gigabits de velocidad.

   Esta nueva DRAM LPDDR4X tiene como fin mejorar la eficiencia y el consumo de las baterías pertenecientes a los 'smartphones' "premium" y otras aplicaciones móviles. En comparación con otros chips DRAM móviles, el de Samsung logra reducir la energía hasta un 10% mientras se mantiene la velocidad de 4.266 megabits por segundo.

   En este sentido, la marca surcoreana comenzó la producción masiva de DRM DDR4 de 8 gigabytes y 10 nanómetros el pasado mes de noviembre, hasta llegar al actual LPDDR4X de 16 gigabits en la actualidad.

   En esta línea, Samsung ha comenzado la fabricación de un paquete DRAM móvil LPDDR4X de 8 gigabytes que combina cuatro chips de 2 gigabytes cada uno, alcanzando una velocidad de datos de 34,1 gigabytes por segundo y un 20% menos de grosor, lo que posibilita a los fabricantes la creación de terminales más delgados pero más efectivos.

   El vicepresidente senior de marketing de Samsung, Sewon Chun, ha relatado que la llegada de la DRAM móvil de 10 nanómetros posibilitará "soluciones significativamente mejoradas" para los dispositivos móviles que deberían llegar al mercado a finales de este año o principios de 2019. El directivo ha expresado que la compañía continuará trabajando en su línea DRAM premium para satisfacer las demandas del mercado y fortalecer la "competividad empresarial".

   De este modo, la entidad surcoreana proporcionará una variedad de productos con alta capacidad, incluyendo paquetes LPDDR4X de 4, 6 y 8 gigabytes. Para poder llegar a los números de producción deseados la compañía ha puesto en marcha otra línea de producción de DRAM en Pyeongtaek (Corea del Sur).

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