La consellera de Territorio, Vivienda y Transición Ecológica y portavoz de la Generalitat, Sílvia Paneque, en una rueda de prensa tras el Consell Executiu - EUROPA PRESS
BARCELONA 8 Abr. (EUROPA PRESS) -
El Govern ha aprobado el inicio del proyecto InnoFAB, destinado al desarrollo de semiconductores avanzados, informa en un comunicado posterior al Consell Executiu de este martes.
El proyecto prevé la creación de un centro de investigación y producción de chips que utilizan materiales alternativos al silicio, con aplicaciones en sectores como la electrónica, la salud o la energía, y que contará con una sala blanca de 2.000 metros cuadrados.
La voluntad es "ofrecer un entorno único para startups y empresas" en el ámbito de los semiconductores, que potencie sus capacidades de fabricación y acelere la adopción de nuevas soluciones y productos.
Impulsado por las consellerias de Economía y Finanzas y de Investigación y Universidades, cuenta con una inversión total de 400 millones de euros, y en 2025 tendrá una aportación de 3,5 millones para poner en marcha la licitación del proyecto de ingeniería.
El acuerdo también prevé la creación de una entidad pública que asumirá la gestión y ejecución del proyecto, así como la titularidad del centro y los terrenos en los que se ubicará.
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