BARCELONA, 14 Jun. (EUROPA PRESS) -
La Universitat de Barcelona (UB) ha anunciado este jueves su participación en un proyecto europeo que pretende desarrollar memorias electrónicas con más capacidad y velocidad y menos consumo de energía, ha informado el centro en un comunicado.
Fruto de dicha participación, los centros investigadores han descubierto una nueva técnica que está en línea con el objetivo de desarrollar dispositivos 'memristor' --un acrónimo inglés de 'memory resistor'--, que se basa en la modificación de su resistencia al paso de una corriente.
El descubrimiento, que publica la revista 'Journal of Applied Physics', puede ayudar a la construcción de memorias no volátiles, compatibles con la tecnología de microelectrónica ya existente y que se podrían comercializar, avanzando así en la miniaturización de los sistemas de almacenamiento de información.
Los 'memristor' fueron postulados de manera teórica en 1971 y en 2008 se fabricó el primero con dióxido de titanio, si bien ahora los científicos han logrado construir un dispositivo similar que funciona en condiciones ambientales de presión y temperatura y que se basa en la tecnología del silicio.
La investigación forma parte del proyecto europeo Light amplifiers with nanoclusters and erbium (Lancer), y en él participan la University College de Londres y el Centro Nacional de Investigación Científica de Francia (CNRS), además de la UB.
