Recurso de cámara móvil de Sony - SONY
MADRID, 17 Dic. (Portaltic/EP) -
Sony ha presentado un nuevo sensor CMOS apilado en el que ha introducido una arquitectura que separa los fotodiodos y los transistores de píxel en dos capaz para incrementar la luz que recoge, mejorar el rango dinámico y reducir el ruido en fotografía nocturna.
El anuncio, realizado en el marco de IEEE International Electron Devices Meeting, presenta una nueva estructura, en la que el chip que contiene los píxeles retroliminados sitúa los fotodiodos y los transistores de píxeles en capas separadas apiladas una encima de la otra.
Este diseño difiere del más tradicional, que coloca los fotodiodos y los transistores píxeles en sustratos uno al lado del otro, como señala la compañía en un comunicado.
Con la nueva arquitectura de apilamiento permite optimizar las capaz de fotodiosos y transistores de píxeles y con ello "aproximadamente duplicar el nivel de la señal de saturación en relación con los sensores de imagen convencionales, ampliando, a su vez, el rango dinámico".
Otra ventaja de este nuevo diseño es que permite ampliar el tamaño de los transistores de amplificación, para reducir "sustancialmente" el ruido que se genera en las imágenes nocturnas o en situaciones con escasa iluminación.
"El rango dinámico ampliado y la reducción de ruido disponibles con esta nueva tecnología evitarán la subexposición y la sobreexposición en entornos con una combinación de iluminación brillante y tenue y permitirán imágenes de alta calidad y bajo ruido incluso con poca luz", aseguran desde Sony.
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