MADRID 26 Mar. (EUROPA PRESS) -
Un estudio internacional en el que ha participado el Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) ha logrado modificar de forma selectiva el comportamiento electrónico y magnético de un compuesto organometálico mediante la adición intencionada de impurezas específicas, en este caso, de átomos de litio. Este proceso se denomina dopaje.
"El dopaje es un proceso fundamental en la elaboración de dispositivos semiconductores que puede llegar a ser muy útil en el desarrollo de materiales para nuevos tipos de dispositivos electrónicos. En el campo de los materiales inorgánicos, como los semiconductores tradicionales, ha sido ampliamente estudiado", ha señalado el investigador del CSIC, Roberto Robles.
Sin embargo, Robles ha señalado que "aún se sabe muy poco del dopaje de materiales orgánicos". "Este hecho ha limitado el desarrollo de nuevos tipos de materiales para la electrónica orgánica del futuro, como por ejemplo los superconductores orgánicos, que prometen unas funciones singulares y características mejoradas", ha añadido.
El estudio, publicado en 'Nature Materials', ha empleado como modelo un tipo de compuesto organometálico conocido como ftalocianinas metálicas. Estos componentes tienen una estructura simétrica compuesta por ocho anillos que rodean un núcleo atómico metálico y con diferentes espacios donde pueden insertarse los átomos dopantes.
Mediante cálculos electrónicos, los investigadores identificaron en las moléculas de ftalocianina los espacios preferidos por los átomos de litio y determinaron sus estados de carga y espín.
De esta forma demostraron que, en función del lugar donde se coloque el átomo de litio, el electrón se dirige al ion metálico o a la parte orgánica del compuesto.