MADRID 20 Dic. (EUROPA PRESS) -
Investigadores de la Universidad de Kyoto (Japón) han anunciado un gran avance con amplias implicaciones para los dispositivos basados en semiconductores. Los resultados, publicados en la revista 'Nature Communications', podrían conducir al desarrollo de transistores ultra de alta velocidad y células fotovoltaicas de alta eficiencia.
Trabajando con material semiconductor estándar (arseniuro de galio, GaAs), el equipo observó que la exposición de la muestra a un campo magnético de un terahercio (1.000 GHz) de rango, causaba una avalancha de pares de electrón-hueco (excitones). Este ciclo único, que dura sólo un picosegundo (billonésima parte de un segundo), resultó en un aumento de 1.000 veces la densidad de excitones, en comparación con el estado inicial de la muestra.
"El pulso de terahercios expone la muestra a un intenso campo eléctrico", ha explicado el líder del equipo y profesor adjunto en el Instituto de la Universidad de Kyoto para la Gestión Integrada de Material Celular, Hideki Hirori, quien ha añadido que "la avalancha de excitones resultante puede ser confirmada por una brillante luminiscencia en el infrarrojo cercano".
La investigación, realizada mediante ondas de terahercios, fue dirigida por el profesor Koichiro Tanaka, cuyo laboratorio persigue numerosas aplicaciones, incluyendo el desarrollo de nuevas tecnologías de imágenes biológicas.
"Dado que las ondas de terahercios son sensibles al agua, nuestro objetivo es la creación de un microscopio que nos permita observar el interior de las células vivas en tiempo real," afirma el profesor Tanaka, "los resultados demuestran el gran potencial que reside en el estudio de las ondas de terahercios".