Observan en tiempo real cómo se comporta un bit de memoria de próxima generación

MADRID, 17 Nov. (EUROPA PRESS) -

Un equipo de investigadores de ingeniería de la Universidad de Michigan (Estados Unidos) ha sido capaz de observar, en tiempo real, el proceso a nanoescala de un bit de memoria al cambiar entre los estados 0 y 1. Según han señalado los expertos, este trabajo permitirá entender cómo funcionan estos sistemas, con el fin de desarrollar mejores dispositivos de memoria, más rápidos, más pequeños y más fiables".

El artículo, que ha sido publicado en 'Science', se titula "Dinámicas de dominio durante el cambio ferroeléctrico" y en él también han participado investigadores de la Universidad de Cornell, la Universidad Estatal de Pensilvania, la Universidad de Washington, la Universidad de Wisconsin (todas en Estados Unidos) y la Universidad de Pekín (en China).

Según el trabajo, los materiales ferroeléctricos tienen el potencial de ofrecer una mayor capacidad de almacenamiento y rapidez que los discos duros magnéticos; y una mayor velocidad de escritura y vida útil más larga que la memoria flash. Sustituir el Módulo de Acceso Aleatorio Dinámico) por una memoria ferroeléctrica puede disminuir ignificativamente el consumo de energía de los ordenadores, ya que la memoria ferroeléctrica no requiere de energía para conservar los datos.

El investigador principal, Xiaoqing Pan, ha indicado que "en este sistema, los campos eléctricos se forman naturalmente en las interfaces ferroeléctricas, y esto propicia el cambio sin gasto de energía". Para el científico, una ventaja de utilizar estos materiales híbridos es que combinan la facilidad de escritura de la memoria ferroeléctrica con la facilidad de lectura de la memoria magnética; las interacciones entre ambas permiten a estos materiales híbridos ser integrados en nuevos diseños, como la espintrónica (que explota tanto la carga del electrón como su espín).

La ferroeléctrónica, descubierta hace alrededor de 90 años, se caracteriza por una polarización espontánea eléctrica que puede ser guiada entre distintas orientaciones mediante un campo eléctrico aplicado; esta capacidad de formar y manipular dominios con orientaciones diferentes de polarización es clave para el desarrollo de dispositivos como memorias no volátiles. El cambio ferroeléctrico se produce a través de la nucleación y crecimiento de los dominios orientados favorablemente y está fuertemente influenciada por defectos e interfaces con contactos eléctricos en sus dispositivos.