Las nuevas memorias de Samsung microSD Express alcanzan una velocidad de lectura secuencial de hasta 800 MB por segundo

Tarjetas microSD Express de Samsung - SAMSUNG

   MADRID, 29 Feb. (Portaltic/EP) -

   Samsung ha anunciado que ha comenzado a probar su nueva tarjeta microSD Express, que tiene una capacidad de 256 GB y una velocidad de lectura secuencial de hasta 800 megabytes por segundo (MB/s), además de a producir en masa la microSF UHS-1 de 1TB.

   La compañía tecnológica ha comentado que, con la introducción de estas tarjetas, tiene como objetivo proporcionar soluciones de memoria diferentes y necesarias para la informática móvil del futuro, así como para las aplicaciones de IA en los dispositivos.

   La primera de ellas es una microSD basada en la interfaz SD Express, que ofrece una lectura secuencial que alcanza hasta 800 MB/s, es 1,4 veces más rápida que las SSD SAT -hasta 560 MB/s- y que es cuatro veces más rápida en comparación con las tarjetas de memoria UHS-1 tradicionales.

   Además, para garantizar un rendimiento estable, introduce la tecnología Dynamoc Thermal Guard (DGT), que mantiene la temperatura óptima para la tarjeta incluso en sesiones de uso prolongadas, tal y como ha especificado en una nota de prensa.

   Del lado de la microSD de 1 TB, Samsung ha comentado que apila ocho capas de V-NAND de 1 TB de octava generación dentro de un factor de forma microSD, logrando así una alta capacidad que hasta ahora solo era posible en el formato SSD.

   Asimismo, ofrece un uso fiable en entornos desafiantes, ya que está protegida contra el agua y los rayos X y diseñada a prueba de caídas, además de que soporta temperaturas extremas.

   Samsung ha comentado que la tarjeta microSD Express de 256 GB estará disponible para su compra a finales de este año, mientras que microSD UH-1 de 1 TB se lanzará en el tercer trimestre de 2024, sin aclarar cuáles serán sus precios.